DDR3 | Blog IT-Maniak - Informatyka jest prosta

Samsung prezentuje pierwsze moduły pamięci 20 nm 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

wrz

19

2014

Firma Samsung Electronics potwierdziła wczoraj rozpoczęcie masowej produkcji układów pamięci 6 gigabitów (Gb) typu low-power double data rate 3 (LPDDR3) mobile DRAM, opartych na zaawansowanej technologii 20 nanometrów (nm). Zapewniają one dłuższą pracę baterii i szybsze wczytywanie aplikacji na urządzeniach mobilnych o dużych ekranach i większej rozdzielczości.

Samsung prezentuje czterogigabajtowe kości DDR3 w technologii 20 nanometrów

kwi

6

2014

Samsung Electronics, ogłosił niedawno rozpoczęcie masowej produkcji najnowocześniejszej pamięci DDR3 wykonanej w procesie technologicznym 20 nanometrów. Nowa pamięć powstała z myślą o zastosowaniu w szerokim spectrum urządzeń elektronicznych.

Rusza produkcja DDR3 w 30 nm 4

lip

22

2010

Światowy lider zaawansowanych technologii pamięci – Samsung Semiconductors – rozpoczął masową produkcję pamięci Green DDR3 w nowym – 30 nm – wymiarze technologicznym.